Селективное фторирование улучшает оптоэлектронные свойства органических полупроводников
01.06.2025

Сотрудниками лабораторий Функциональных материалов для органической электроники и фотоники и Фото- и электрофизики органических полупроводников ИСПМ РАН, совместно с коллегами с Физического факультета МГУ, изучены эффекты фторирования органических полупроводников на основе аннелированного тиофен-фениленового олигомера BTBT, который обычно проявляет дырочный транспорт зарядов. В работе представлены два новых производных дифенил-замещенного BTBT, с полностью или частично фторированными фенильными кольцами. Первое из них проявляет электронный транспорт зарядов, в то время как второе поддерживает биполярный транспорт зарядов. Оптоэлектронные устройства на основе полученного производного BTBT с селективно фторированными фенилами проявляют электролюминесценцию и фотоэлектрический эффект. Для выявления и объяснения изменений в оптических свойствах, молекулярной упаковке и подвижности носителей заряда, вызванных селективным или полным фторированием фенильных заместителей, использовали комбинацию экспериментальных и теоретических методов. Предложенные материалы и установленные взаимосвязи между молекулярной структурой и свойствами изученных производных BTBT вносят существенный вклад в развитие органической оптоэлектроники.
Полученные результаты опубликованы в высокоцитируемом научном журнале The Journal of Physical Chemistry C