Федеральное государственное бюджетное учреждение науки

Институт синтетических полимерных материалов им. Н.С. Ениколопова РАН


Федеральное государственное бюджетное учреждение науки

Институт синтетических полимерных материалов им. Н.С. Ениколопова РАН

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки

Институт синтетических полимерных материалов им. Н.С. Ениколопова РАН

Новые высокоэффективные полупроводники для органической электроники

21.06.2025

Сотрудниками лабораторий Фото- и электрофизики органических полупроводников и Полимерных солнечных батарей ИСПМ совместно с коллегами из МГУ, МИРЭА и Курчатовского института изучены новые органические полупроводники на основе аннелированного фрагмента BTBT. Показано, что добавление атома кислорода в концевой алкильный заместитель дифенильного производного BTBT существенно улучшает ряд физико-химических свойств этого органического полупроводника: для синтезированного нового соединения DOPBTBT с децильными заместителями обнаружено существенное увеличение термической и термоокислительной стабильности, квантового выхода фотолюминесценции и подвижности носителей зарядов по сравнению с опорным соединением с децильными заместителями DPBTBT. Подвижность носителей зарядов в тонких плёнках достигла 0.74 см2В-1с-1, а в кристаллических мономолекулярных слоях - рекордно высокого значения 1.1 см2В-1с-1. Органические полевые транзисторы на основе плёнок DOPBTBT практически не деградируют при хранении на воздухе в течение месяца, что крайне важно для практического применения. Полученные результаты говорят о перспективности разработанного соединения для применения в устройствах органической оптоэлектроники..
Статья опубликована в высокорейтинговом научном журнале Physical Chemistry Chemical Physics 

 

Читайте также